単結晶AlN（窒化アルミ）ウエハ

SiCやGaNなどの次世代材料、ウルトラワイドバンドギャップ（UWBG）半導体と呼ばれる材料の中でも、特にバンドギャップが広い（6.0ev）以上となる単結晶AlN（窒化アルミ）基板です。
AlNデバイスの処理能力はSiCやGaNの15倍となります。単結晶製品で2inchまでの販売が可能、UV-LED、半導体レーザー、IGBTなどのパワーデバイスに採用されています。
また、MEMSやSAW/BAWデバイス用途でサファイア基板ベースの製品、シリコン基板ベースの製品も販売しています。

製造元：奥趨光電（杭州）有限公司（Ultratrend Technologies Co., Ltd.）